본 발명은 기재 위에 복층의 육방정계 질화불소(hexagonal boron nitride: h-BN) 후막을 제조하는 방법에 대한 것으로, 보다 구체적으로는 (a) 제 1 기재를 가열하는 기재 가열단계; (b) 가열된 상기 제 1 기재에 h-BN 전구체를 공급하는 h-BN 전구체 공급단계; (c) 공급된 상기 h-BN 전구체를 제 1 기재에 용해시키는 전구체 용해단계: 및 (d) h-BN 전구체가 용해된 제 1 기재를 냉각시키는 기재 냉각단계;를 통하여 기재 위에 복층의 h-BN 후막을 형성하는 방법과 상기 제조방법에 따라 제조되는 복층의 h-BN 후막;과 상기 h-BN 후막과 적층구조를 이루는 기재를 포함하는 적층체에 대한 것이다.
